RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de 14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2489
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link