RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
24
Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
16
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
21
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2337
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link