RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
63
Autour de 62% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
63
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2162
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology L02 06/2010 DEXCOM 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
INTENSO 5641162 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link