RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
30
Autour de 20% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3308
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link