RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
26
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1610
3147
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link