RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.6
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
26
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1610
2476
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link