RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB vs Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Note globale
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
44
Autour de 50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
22
44
Vitesse de lecture, GB/s
15.1
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2382
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link