RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Comparez
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Note globale
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,160.7
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
43
Autour de -48% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
29
Vitesse de lecture, GB/s
5,987.5
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,160.7
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
957
3299
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link