RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Comparez
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Note globale
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,475.5
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
56
Autour de -93% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8800
Autour de 1.93 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,878.3
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,475.5
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8800
17000
Other
Description
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
598
2690
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Comparaison des RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link