RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
57
Autour de -84% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.4
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
31
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
3809
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C7 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 99U5471-038.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link