RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
53
57
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
53
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
2301
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link