RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
57
Autour de -171% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
21
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
3427
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link