RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
57
Autour de -138% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
24
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
2946
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link