RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
57
Autour de -78% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.1
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
32
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
2386
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link