RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Comparez
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Note globale
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Note globale
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
40
Autour de 25% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
40
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
11.1
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2792
2875
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link