RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Comparez
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Note globale
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Note globale
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
22.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,036.1
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
75
Autour de -188% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,986.4
22.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,036.1
17.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
714
3962
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link