RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Comparez
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Note globale
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Note globale
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
75
Autour de -213% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.7
2,036.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,986.4
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,036.1
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
714
2168
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link