RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Comparez
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Note globale
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Note globale
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
71
Autour de 42% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
71
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
1650
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link