RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Comparez
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Note globale
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
40
Autour de -25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2078
1897
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5474-041.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link