RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparez
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Note globale
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
40
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2125
3273
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link