RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Comparez
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Note globale
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Note globale
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
26
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1620
2633
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link