RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
29
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
2708
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link