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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Comparez
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Note globale
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Note globale
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
52
Autour de 21% latence réduite
Raisons de considérer
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
52
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2348
2472
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