RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Comparez
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Note globale
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
33
Autour de 21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2432
2227
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparaison des RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link