RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Comparez
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Note globale
Kingston KVR533D2N4 512MB
Note globale
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR533D2N4 512MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
75
84
Autour de 11% latence réduite
Raisons de considérer
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.5
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.0
1,672.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
4200
Autour de 5.07 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR533D2N4 512MB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
84
Vitesse de lecture, GB/s
1,943.5
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,672.1
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
21300
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
301
1486
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaison des RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
INTENSO M418039 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link