RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Comparez
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Note globale
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
19.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
50
Autour de -61% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
1,905.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
31
Vitesse de lecture, GB/s
5,143.3
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,905.1
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
855
3553
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link