RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
33
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
20
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
3652
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link