RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
36
Autour de 8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
36
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
3027
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Super Talent SUPERTALENT 2GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link