RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Comparez
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Note globale
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
80
Autour de 64% latence réduite
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
80
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1425
1775
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaison des RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link