RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Comparez
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Note globale
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
37
Autour de 22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.5
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
37
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1425
2229
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaison des RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link