RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Note globale
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
40
Autour de -48% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2035
1732
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link