RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
40
Autour de -74% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2035
3147
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link