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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
28
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2236
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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