RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
29
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
3573
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link