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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
47
Autour de 40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.9
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
47
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2362
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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