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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
12800
Autour de 1.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
23400
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
3419
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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