RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2541
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link