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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Comparez
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Note globale
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Raisons de considérer
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
43
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
43
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
12.2
Vitesse d'écriture, GB/s
6.9
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1647
1763
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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