RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Comparez
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Note globale
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,107.0
15.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
58
Autour de -93% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,025.3
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,107.0
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
670
3593
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link