RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
51
Autour de -24% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
41
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3006
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link