RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
51
Autour de -6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
48
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3047
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link