RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
51
Autour de -34% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
38
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2107
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6N1 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link