RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
60
Autour de 15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
60
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2359
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link