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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Comparez
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Note globale
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
41
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
31
Vitesse de lecture, GB/s
10.7
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1335
3444
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
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