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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Comparez
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.2
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
10600
8500
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
41
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.6
10
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
41
30
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
10.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
8500
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1210
1479
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB Comparaison des RAM
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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