RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Comparez
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Note globale
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Note globale
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
63
Autour de -103% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
5.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
31
Vitesse de lecture, GB/s
7.7
11.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.0
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1130
2271
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link