Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Note globale
star star star star star
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Note globale
star star star star star
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 63
    Autour de -125% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.7 left arrow 7.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    6.9 left arrow 5.0
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 10600
    Autour de 1.81 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    63 left arrow 28
  • Vitesse de lecture, GB/s
    7.7 left arrow 13.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    5.0 left arrow 6.9
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1130 left arrow 2312
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons