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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Comparez
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Note globale
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Note globale
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Raisons de considérer
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
63
Autour de -97% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.8
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
5.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
32
Vitesse de lecture, GB/s
7.7
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
5.0
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1130
2271
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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