RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
37
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
3137
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link