RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
12
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
37
Autour de -32% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
12.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
2347
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link